STMicroelectronics Gate-driver, Gate-driver-modul 2, 6 A, 16 Ben 5V, SO-16
- RS-varenummer:
- 233-0478P
- Producentens varenummer:
- STDRIVEG600TR
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 9%
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 978,40
(ekskl. moms)
Kr. 1.223,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 19,568 | - |
| 100 - 240 | Kr. 17,772 | 9% |
| 250 - 490 | Kr. 16,965 | 13% |
| 500 + | Kr. 16,531 | 15% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-0478P
- Producentens varenummer:
- STDRIVEG600TR
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Gate-driver-modul | |
| Udgangsstrøm | 6A | |
| Benantal | 16 | |
| Emballagetype | SO-16 | |
| Faldtid | 5ns | |
| Driver-type | Gate-driver | |
| Forsyningsspænding min. | 3.3V | |
| Forsyningsspænding maks. | 5V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Serie | STDRI | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Gate-driver-modul | ||
Udgangsstrøm 6A | ||
Benantal 16 | ||
Emballagetype SO-16 | ||
Faldtid 5ns | ||
Driver-type Gate-driver | ||
Forsyningsspænding min. 3.3V | ||
Forsyningsspænding maks. 5V | ||
Antal drivere 2 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Serie STDRI | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics STDRIVEG600 er en halvbro-gate-driver med enkelt chip til forbedringsfunktion for GAN FET'er eller N-kanal MOSFET'er. Den høje side er konstrueret til at holde en spænding op til 600 V og er velegnet til konstruktioner med busspænding op til 500 V. Enheden er designet til at drive højhastigheds GAN og Si FET'er takket være høj strømkapacitet, kort signalforsinkelse og drift med forsyningsspænding ned til 5 V.
Sammenkoblingsfunktion
UVLO på lav side og høj side sektioner
Dedikeret PIN-kode til nedlukningsfunktion
Beskyttelse mod overophedning