STMicroelectronics STGAP2HDMTR, MOSFET gate-driver, CMOS, TTL, 4 A, 3.1 V, 5.5 V, 36 Ben, SO-36W

STMicroelectronics STGAP2HD er en dobbelt gate-driver, der giver galvanisk isolation mellem hver gate-drivkanal og lavspændings-styrings- og interfacekredsløbet. Gate-driveren er kendetegnet ved 4 A strømkapacitet og skinne-til-skinne udgange, hvilket gør den velegnet til anvendelser med middel og høj effekt som f.eks. strømkonvertering og industrielle invertere til motordrev. De adskilte udgangsben gør det muligt uafhængigt at optimere til- og frakobling ved hjælp af dedikerede gate-modstande, mens Miller KLEMMEFUNKTIONEN gør det muligt at undgå gate-spidser under hurtige kommutationer i half-bridge topologier. Enheden integrerer beskyttelsesfunktioner: Dedikerede SD- og BREMSESTIFTER er tilgængelige, UVLO og termisk nedlukning er inkluderet for nemt at designe systemer med høj pålidelighed.

4 A Miller KLEMME
UVLO-funktion
Konfigurerbar låsefunktion
Dedikerede SD- og BREMSESTIFTER
Gate drivspænding op til 26 V.
3,3 V, 5 V TTL-/CMOS-indgange med hysterese
Beskyttelse mod temperaturafbrydelse
Standby-funktion
6 kV galvanisk isolation
Bredt hus SO-36W

I half-bridge topologier forhindrer sammenkoblingsfunktionen udgange i at være høje på samme tid, så gennemgangsbetingelser undgås i tilfælde af forkerte logiske indgangskommandoer. Låsefunktion kan deaktiveres med et dedikeret konfigurationsstift, så de to kanaler kan betjenes uafhængigt og parallelt. Resultaterne af input til output-forsinkelse er indeholdt i 75 ns, hvilket giver høj PWM-styringsnøjagtighed. En standbytilstand er tilgængelig for at reducere strømforbruget i tomgang.