Infineon 2EDL05N06PJXUMA1, Gate-driver-modul, CMOS, 500 mA, 600V, 14 Ben, DSO-14

Infineon 650 V half-bridge gate-driver med integreret bootstrap-diode har unik Infineon tynd-film-silikone på isolator (SOI)-teknologi giver fremragende robusthed og støjimmunitet. Schmitt trigger logiske indgange er kompatible med standard CMOS eller LSTTL logik ned til 3,3 V. Udgangsdriverne har et højpuls-strømstødpudestag, der er designet til minimal krydskonduktion af drivere. Den flydende kanal kan bruges til at drive en N-kanal effekt MOSFET eller IGBT i den høje side konfiguration, der fungerer op til 600 V. Desuden giver offline-klemmefunktionen en indbygget beskyttelse af den parasitiske aktivering ved svævende portbetingelser, når der ikke leveres IC.

Infineon tyndfilm - SOI-teknologi
Fuldt funktionsdygtig til +600 V
Flydende kanal beregnet til bootstrap-drift
Gate-drive forsyningsområde fra 10 V til 20 V
Spærring ved underspænding for begge kanaler
Kompatibel med 3,3 V, 5 V og 15 V indgangslogik
I overensstemmelse med RoHS