onsemi NCD57091BDWR2G, MOSFET gate-driver, 6,5 A, 22V, 8 Ben, SOIC

ON Semiconductor-gatedriveren er isolerede to-kanals gatedrivere med en 4,5-A/9-A-kilde og en Peak-strøm til vask. De er designet til hurtigt skift til drive power MOSFET'er og SiC MOSFET-effektkontakter. NCP51561 giver korte og matchede overførselsforsinkelser. To uafhængige og 5 kV rms intern galvanisk isolation fra indgang til hver udgang og intern funktionel isolation mellem de to udgangsdrivere tillader en arbejdsspænding på op til 1500 V dc. Denne driver kan bruges i alle mulige konfigurationer af to lav side, to høj-side-kontakter eller en halvbro-driver med programmerbar dødtid. En ENA/DIS-pin lukker begge udgange samtidigt, når den indstilles lav eller høj for HENHOLDSVIS AKTIVERING eller DEAKTIVERING. NCP51561 har andre vigtige beskyttelsesfunktioner som f.eks. uafhængig underspændingsspærring til både gate-drivere og funktion til justering af dødtid.

4,5 A Peak-kilde, 9 A Peak sink-udgangsstrøm
Fleksibel: Dobbelt lav side, dobbelt høj- eller halvbro-gatedriver
Uafhængig UVLO-beskyttelse til begge udgangsdrivere
Udgangsspænding fra 6,5 V til 30 V med 5 V og 8 V til MOSFET, 13 V og 17 V UVLO til SiC, tærskler.
Common-mode transient-immunitet CMTI > 200 V/ns
Forbredelsesforsinkelse typisk 36 ns med 5 ns maks. forsinkelsestilpasning pr. kanal og 5 ns maks. impulsbreddeforvrængning
Brugerprogrammerbar indgangslogik enkelt- eller dobbeltindgange via ANB og AKTIVERING eller DEAKTIVERING af tilstand
Brugerprogrammerbar dødtid