onsemi NCV57081BDR2G, MOSFET gate-driver, 22V, 8 Ben, SOIC

ON Semiconductor 1-kanals IGBT/MOSFET gate-drivere med høj strømstyrke med 3,75 kVARrms intern galvanisk isolation, der er designet til høj systemeffektivitet og pålidelighed ved anvendelser med høj effekt. Enhederne accepterer komplementære indgange og tilbyder afhængigt af benkonfigurationen muligheder som f.eks. Active Miller Clamp (version A), negativ strømforsyning (version B) og separate høje og lave (FJERDE og UDGÅENDE) driverudgange (version C) for praktisk systemdesign. Driveren har plads til et bredt udvalg af indgangsbias-spænding og signalniveauer fra 3,3 V til 20 V, og de fås i SOIC-8 hus med smalt hus.

Høj Peak udgangsstrøm (+6,5 A/-6,5 A)
Lavt spændingsfald i lukkeenheden eliminerer behovet for negativ effekt
Strømforsyning til forebyggelse af falsk bagportdrejning (version A)
Korte overførselsforsinkelser med nøjagtig matchning
IGBT/MOSFET gate-fastspænding ved kortslutning
IGBT/MOSFET-gate, aktivt træk ned
Stramme UVLO-grænseværdier for fleksibilitet i forhold til bias
Bredt bias-spændingsområde inklusive negativ VEE2 (version B)
3,3 V, 5 V og 15 V logisk indgang
3,75 kVRMS Viso (i-O) (til UL1577 krav)