Renesas Electronics HIP2100IBZT7A, Gate-driver-modul, CMOS, 9 → 14V dc, 8 Ben, SOIC

Renesas halvbrodriver er en højfrekvent 100 V halvbro N-kanals effekt MOSFET-driver-IC. Low-side og high-side gate-drivere er uafhængigt styret og matchet til 8 ns. Dette giver brugeren maksimal fleksibilitet i valg af dead-time og driverprotokol. Underspændingsbeskyttelse på både lav- og høj-side forsyninger tvinger udgangene lavt. En on-chip diode eliminerer den diskrete diode, der kræves sammen med andre driver-IC'er. En ny topologi med niveauskift giver fordelene ved lavt strømforbrug ved impulsdrift med sikkerheden ved jævnstrømsdrift. I modsætning til nogle konkurrenter vender udgangen på den høje side tilbage til sin korrekte tilstand efter en øjeblikkelig underspænding af forsyningen på den høje side.

Driver N-kanal MOSFET halv bro
Bb-fri (RoHS-kompatibel)
bootstrap-forsyningsspænding maks. til 114 V
COn-chip 1 Ω bootstrap-diode
Hurtige spredningstider til multi-MHz-kredsløb
Driver 1000 pF belastning med stige- og faldetider typisk 10
nsCMOS indgangstærskler for forbedret støjimmunitet
Lavt strømforbrug

Bredt forsyningsområde Forsyning underspændingsbeskyttelse