Infineon Gate-driver, Gate-driver-modul 2, 2.5 A 20V, DSO
- RS-varenummer:
- 258-0610
- Producentens varenummer:
- 2ED21814S06JXUMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 22.692,50
(ekskl. moms)
Kr. 28.365,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 9,077 | Kr. 22.692,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-0610
- Producentens varenummer:
- 2ED21814S06JXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Gate-driver-modul | |
| Udgangsstrøm | 2.5A | |
| Emballagetype | DSO | |
| Faldtid | 15ns | |
| Driver-type | Gate-driver | |
| Stigetid | 200ns | |
| Forsyningsspænding min. | 10V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Serie | 2ED21814S06J | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Gate-driver-modul | ||
Udgangsstrøm 2.5A | ||
Emballagetype DSO | ||
Faldtid 15ns | ||
Driver-type Gate-driver | ||
Stigetid 200ns | ||
Forsyningsspænding min. 10V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Serie 2ED21814S06J | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 650 V høj- og lav-side gate-driver med høj strøm og høj hastighed til at drive MOSFET'er og IGBT'er med typisk 2,5 A sink og kildestrøm i DSO-14 hus. Baseret på Infineon SOI-teknologi, der har fremragende robusthed og støjimmunitet mod negative transientspændinger på VS-ben. Ingen parasitiske tyristorstrukturer er til stede i enheden, derfor ingen parasitisk låsning ved alle temperaturer og spændingsforhold.
Integreret ultrahurtig bootstrap-diode med lav modstand, reducerer BOM-omkostningerne
Høj- og lavspændingsben adskilt for maksimal krybealder og frihed
Separat logik og strømforbindelse