Infineon Gate-driver, Gate-driver IC 2, 2.5 A, 8 Ben 20V, DSO
- RS-varenummer:
- 258-0613
- Producentens varenummer:
- 2ED2184S06FXUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 29,99
(ekskl. moms)
Kr. 37,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 14,995 | Kr. 29,99 |
| 20 - 48 | Kr. 12,755 | Kr. 25,51 |
| 50 - 98 | Kr. 11,855 | Kr. 23,71 |
| 100 - 198 | Kr. 11,035 | Kr. 22,07 |
| 200 + | Kr. 10,25 | Kr. 20,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-0613
- Producentens varenummer:
- 2ED2184S06FXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Gate-driver IC | |
| Udgangsstrøm | 2.5A | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 15ns | |
| Emballagetype | DSO | |
| Driver-type | Gate-driver | |
| Stigetid | 600ns | |
| Forsyningsspænding min. | 10V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Serie | 2ED2184 (4) S06F (J) | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Gate-driver IC | ||
Udgangsstrøm 2.5A | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 15ns | ||
Emballagetype DSO | ||
Driver-type Gate-driver | ||
Stigetid 600ns | ||
Forsyningsspænding min. 10V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Serie 2ED2184 (4) S06F (J) | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 650 V halvbro høj strømstyrke og højhastigheds gate-driver til MOSFET og IGBT, med typisk 2,5 A sink og kildestrøm i DSO-8 hus. Baseret på Infineon SOI-teknologi, der har fremragende robusthed og støjimmunitet mod negative transientspændinger på VS-ben. Ingen parasitiske tyristorstrukturer er til stede i enheden, derfor ingen parasitisk låsning ved alle temperaturer og spændingsforhold.
Negativ VS transientimmunitet på 100 V
Integreret ultrahurtig bootstrap-diode med lav modstand, reducerer BOM-omkostningerne
Flydende kanal designet til bootstrap-drift
Integreret skyde-gennem-beskyttelse med indbygget dødtid (400 ns)
Maksimal forsyningsspænding på 25 V
50 % lavere tab ved niveauskift