Infineon IR2111STRPBF, Gate-driver-modul, CMOS, 8 Ben, SOIC 8N

Infineon halvbro-driveren er en højspændings, højhastigheds effekt MOSFET og IGBT-driver med afhængige høj- og lav-side refererede udgangskanaler, der er designet til halvbro-anvendelser. Egne HVIC- og låseimmune CMOS-teknologier muliggør robust monolitisk konstruktion. Logikindgang er kompatibel med standard CMOS-udgange. Udgangsdrivere har et buffertrin med høj impulsstrøm, der er designet til minimal driverkredsledning. Intern dødtid er til rådighed for at undgå gennemslag i udgangshalvbroen. Den flydende kanal kan bruges til at drive en N-kanal effekt MOSFET eller IGBT i høj side konfiguration, der fungerer op til 600 volt.

Gate-drev forsyningsområde fra 10 til 20 V
Underspændingsspærring for begge kanaler
CMOS Schmitt-triggerede indgange med pull-down
Matchende udbredelsesforsinkelse for begge kanaler
Internt indstillet dødtid
Høj sideudgang i fase med indgang