Infineon Halvbro, Gate-driver-modul, 420 mA, 8 Ben 600V, SOIC

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 12.290,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.362,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 4,916Kr. 12.290,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3930
Producentens varenummer:
IR2111STRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Gate-driver-modul

Udgangsstrøm

420mA

Benantal

8

Faldtid

40ns

Emballagetype

SOIC

Driver-type

Halvbro

Stigetid

130ns

Forsyningsspænding min.

10V

Forsyningsspænding maks.

600V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Serie

IR2111(S) & (PbF)

Bilindustristandarder

Nej

Infineon halvbro-driveren er en højspændings, højhastigheds effekt MOSFET og IGBT-driver med afhængige høj- og lav-side refererede udgangskanaler, der er designet til halvbro-anvendelser. Egne HVIC- og låseimmune CMOS-teknologier muliggør robust monolitisk konstruktion. Logikindgang er kompatibel med standard CMOS-udgange. Udgangsdrivere har et buffertrin med høj impulsstrøm, der er designet til minimal driverkredsledning. Intern dødtid er til rådighed for at undgå gennemslag i udgangshalvbroen. Den flydende kanal kan bruges til at drive en N-kanal effekt MOSFET eller IGBT i høj side konfiguration, der fungerer op til 600 volt.

Gate-drev forsyningsområde fra 10 til 20 V

Underspændingsspærring for begge kanaler

CMOS Schmitt-triggerede indgange med pull-down

Matchende udbredelsesforsinkelse for begge kanaler

Internt indstillet dødtid

Høj sideudgang i fase med indgang

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.