Infineon Høj side, Gate-driver-modul, 600 A, 8 Ben 20 V, SOIC

Infineon EiceDRIVER 200 V høj- og lav-side gate-driver-IC med typisk 0,29 A kilde- og 0,6 A sinkstrøm i 8-leders SOIC-hus til IGBT'er og MOSFET'er. Også tilgængelig i en pakke med 14 bly MLPQ 4x4. Den høje og lave side gate driver IC er en 200 V niveauskift kryds isoleret MOSFET driver med afhængige høje og lave side referencerede udgangskanaler. Egne HVIC- og låseimmune CMOS-teknologier muliggør robust monolitisk konstruktion. Logikindgangen er kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-udgang, ned til 3,3 V logik. Udgangsdrivere har et buffertrin med høj impulsstrøm, der er designet til minimal driverkredsledning. Den flydende kanal kan bruges til at drive en N-kanals effekt-MOSFET i den høje sidekonfiguration, der fungerer op til 200 V. Udbredelsesforsinkelse er matchende for at forenkle HVIC'ens brug i højfrekvente anvendelser.

Underspændingsspærring til VCC, VBS