Infineon IRS2008STRPBF, Gate-driver-modul, CMOS, 25V, 8 Ben, SOIC

Infineons halvbrodriver er en højspændings, højhastigheds effekt MOSFET og IGBT-driver med afhængige udgangskanaler med høj og lav side. Egne HVIC- og låseimmune CMOS-teknologier muliggør robust monolitisk konstruktion. Logikindgangen er kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-udgang, ned til 3,3 V logik. Udgangsdrivere har et buffertrin med høj impulsstrøm, der er designet til minimal driverkredsledning. Den flydende kanal kan bruges til at drive en N-kanals effekt-MOSFET eller IGBT i den høje sidekonfiguration, der fungerer op til 200 V. Udbredelsesforsinkelse er tilpasset for at forenkle HVIC'ens brug i højfrekvente anvendelser.

Gate-drev forsyner op til 20 V pr. kanal
Underspændingsspærring til VCC, VBS
Tolerant over for negativ transientspænding
Konstrueret til brug sammen med bootstrap strømforsyninger
Logik til forebyggelse af krydseledning
Matchende udbredelsesforsinkelse for begge kanaler
Intern indstillet dødtid
High-side udgang i fase med indgang