Infineon MOSFET, MOSFET, 600 mA, 8 Ben 600V, SOIC
- RS-varenummer:
- 258-4013
- Producentens varenummer:
- IRS2308STRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 6.660,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.325,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 2,664 | Kr. 6.660,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-4013
- Producentens varenummer:
- IRS2308STRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 600mA | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Faldtid | 35ns | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 220ns | |
| Forsyningsspænding min. | 10V | |
| Forsyningsspænding maks. | 600V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Serie | IRS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 600mA | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype SOIC | ||
Faldtid 35ns | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 220ns | ||
Forsyningsspænding min. 10V | ||
Forsyningsspænding maks. 600V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Serie IRS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons halvbrodriver er en højspændings, højhastigheds effekt MOSFET og IGBT-driver med afhængige udgangskanaler med høj og lav side. Egne HVIC- og låseimmune CMOS-teknologier muliggør robust monolitisk konstruktion. Logikindgangen er kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-udgang, ned til 3,3 V logik. Udgangsdrivere har et buffertrin med høj impulsstrøm, der er designet til minimal driverkredsledning. Den flydende kanal kan bruges til at drive en N-kanal effekt MOSFET eller IGBT i høj side konfiguration, der fungerer op til 600 V.
Flydende kanal designet til bootstrap-drift
Gate-drev forsyningsområde fra 10 V til 20 V
Underspændingsspærring for begge kanaler
Logik til forebyggelse af krydseledning
Matchende udbredelsesforsinkelse for begge kanaler
Udgange i fase med indgange