Infineon Gate-driver, Gate-driver-modul 2, 5 A, 10 Ben 17V, VSON
- RS-varenummer:
- 260-1069
- Producentens varenummer:
- 2EDL8124G3CXTMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 17.283,00
(ekskl. moms)
Kr. 21.603,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 5,761 | Kr. 17.283,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-1069
- Producentens varenummer:
- 2EDL8124G3CXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Gate-driver-modul | |
| Udgangsstrøm | 5A | |
| Benantal | 10 | |
| Emballagetype | VSON | |
| Faldtid | 6ns | |
| Driver-type | Gate-driver | |
| Forsyningsspænding min. | 17V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 17V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Gate-driver-modul | ||
Udgangsstrøm 5A | ||
Benantal 10 | ||
Emballagetype VSON | ||
Faldtid 6ns | ||
Driver-type Gate-driver | ||
Forsyningsspænding min. 17V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 17V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon LED-driveren er en 16-kanals enhed med integrerede og beskyttede udgangstrin og er designet til at styre lysdioder med en strømstyrke på op til 76,5 mA som lineær strømsænker. Den består af en effekttrin, der kan konfigureres parallelt til højere belastningsstrømme. Hvert enkelt strømudgangstrin er konfigureret til en 6-bit strømsætningsværdi, der er lagret.
Robust drift
Høj effekttæthed
Høj effektivitet
Stærk MOSFET-pålidelighed