Infineon Gate-driver, Gate-driver IC, 600 mA, 8 Ben 20V, SOIC

Denne gate-driver-IC er en enhed i enkelt pakke, der er designet til at drive Power MOSFET-porte inden for et forsyningsvindue med mellemområde. Den fungerer fra lave til moderate spændinger, der er velegnet til mange diskrete effekttopologier og funktioner i miljøer med brede termiske krav. Komponenten leveres i et SOIC-format og omfatter grundlæggende beskyttelse og timing-egenskaber, der er egnede til omskiftningsanvendelser.

• 10 V til 20 V forsyningsområde muliggør fleksibelt valg af systemspænding
• 0,6 A udgangsstrøm giver tydelig gate-ladestyring
• 170 ns stigetid forbedrer til-/frakoblingskantdefinitionen
• 35 ns faldtid reducerer slukningstab
• Mærkeværdi op til 150 °C understøtter drift ved høje temperaturer

• Velegnet til at drive MOSFET'er i halvbrotrin
• Ideel til industrielle switching-strømforsyninger
• Anvendes sammen med gate-kredsløb, der kræver SOIC-emballage
• Kan bruges til termisk tolerante effektomformere
• Velegnet til batteridrevne systemer, der har brug for mellemspændingsdrivere

Enheden leveres i et SOIC 8-benet hus, der passer til standard gennemloddefodaftryk og giver mulighed for kompakt kortplacering.

Den er specificeret til drift fra -40 °C op til 150 °C og passer til både koldstart og omgivelsesforhold med høje temperaturer.

0,60 A-drevkapaciteten sætter grænsen for gate-ladningshåndtering, så vælg MOSFET'er med gate-kapacitet, der er kompatibel med den pågældende drevstrøm for den ønskede skiftehastighed.

Komponenten er i overensstemmelse med RoHS, hvilket angiver, at den opfylder almindelige restriktioner for farlige stoffer.

Den er ikke klassificeret iht. bilstandarder, så brug alternative produkter i bilkvalitet, hvor certificering af køretøjer er påkrævet.