onsemi MOSFET, MOSFET 1, 2 A, 8 Ben 20V, PDIP
- RS-varenummer:
- 625-5032
- Producentens varenummer:
- MC33153PG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 8,83
(ekskl. moms)
Kr. 11,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 63 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
- Plus 13 enhed(er) afsendes fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 8,83 |
| 10 + | Kr. 7,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 625-5032
- Producentens varenummer:
- MC33153PG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Udgangsstrøm | 2A | |
| Benantal | 8 | |
| Emballagetype | PDIP | |
| Faldtid | 17ns | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Antal udgange | 1 | |
| Stigetid | 17ns | |
| Forsyningsspænding min. | 20V | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Antal drivere | 1 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 105°C | |
| Bredde | 7.11mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Serie | MC33153 | |
| Længde | 10.02mm | |
| Højde | 5.33mm | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Udgangsstrøm 2A | ||
Benantal 8 | ||
Emballagetype PDIP | ||
Faldtid 17ns | ||
Driver-type MOSFET | ||
Antal udgange 1 | ||
Stigetid 17ns | ||
Forsyningsspænding min. 20V | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Antal drivere 1 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 105°C | ||
Bredde 7.11mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Serie MC33153 | ||
Længde 10.02mm | ||
Højde 5.33mm | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
MOSFET og IGBT drivere, ON Semiconductor
Strømdrivere til MOSFET og IGBT i lav side, høj side, og half-bridge-kredsløb.