IKY150N65EH7XKSA1, IGBT, N-Kanal, 160 A 650 V, 4 ben, PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 1

Infineons IGBT introducerer banebrydende trench-teknologi, der er optimeret til lav mætningsspænding og reducerede koblingstab. Den er ideel til krævende anvendelser og giver en robust ydeevne i industrielle omgivelser. Med sin avancerede konstruktion håndterer enheden effektivt store strømbelastninger, samtidig med at den opretholder fremragende termisk stabilitet. Denne komponent er særligt velegnet til opladningssystemer til elbiler og industrielle UPS-løsninger, der sikrer pålidelighed og sikkerhed i kritiske applikationer.

Understøtter en maksimal kollektor-emitterspænding på 650 V
Håndterer op til 150 A kontinuerlig strøm
Har en antiparallel diode med blød og hurtig gendannelse
Kvalificeret til industrielle anvendelser i henhold til JEDEC-standarder
Nem integration med veldefinerede PSpice-modeller
Jævn skifteadfærd forbedrer systemets effektivitet