Infineon, IGBT-modul, Type N-Kanal, 54 A 1200 V, AG-EASY2B-1 Klemme

Se alle IGBT

Indhold (1 enhed)*

Kr. 327,32

(ekskl. moms)

Kr. 409,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 327,32

*Vejledende pris

RS-varenummer:
111-6098
Producentens varenummer:
FP35R12W2T4BOMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT-modul

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

54A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

215W

Emballagetype

AG-EASY2B-1

Monteringstype

Klemme

Kanaltype

Type N

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.25V

Driftstemperatur maks.

150°C

Serie

EasyPIM

Standarder/godkendelser

ULapproved(E83335)

Bredde

48 mm

Længde

56.7mm

Højde

12mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

IGBT-moduler, Infineon


Infineons serie af IGBT-moduler giver tabsfattigt skift op til 60 KHz.

IGBT'er dækker en række moduler som EconoPACK med kollektor-emitterspænding på 1200 V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper-moduler med NTC op til 1600/1700 V. PrimePACK IGBT'er kan findes i køretøjer til brug i industri, handel, konstruktion og landbrug. N-kanal TRENCHSTOP TM og Fieldstop IGBT-moduler er velegnet til hård og blød kobling f.eks. invertere, UPS og industrielle kredsløb.

Indpakningstyper omfatter: 62 mm moduler EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links