IXYS, IGBT, N-Kanal, 100 A 600 V 60 kHz, 3 Ben, TO-264 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 125-8050
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-438
- Producentens varenummer:
- IXXK100N60C3H1
- Brand:
- IXYS
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 125-8050
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-438
- Producentens varenummer:
- IXXK100N60C3H1
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 100A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 695W | |
| Emballagetype | TO-264 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 60kHz | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Serie | Planar | |
| Nominel energi | 600mJ | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 100A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 695W | ||
Emballagetype TO-264 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 60kHz | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Serie Planar | ||
Nominel energi 600mJ | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
IGBT diskrete, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.