Infineon, IGBT-modul, Type N-Kanal, 900 A 1200 V, 10 Ben, PrimePACK2 Klemme

Indhold (1 bakke af 3 enheder)*

Kr. 9.693,261

(ekskl. moms)

Kr. 12.116,577

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bakke*
3 +Kr. 3.231,087Kr. 9.693,26

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-6609
Producentens varenummer:
FF900R12IE4BOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

900A

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

510W

Emballagetype

PrimePACK2

Monteringstype

Klemme

Kanaltype

Type N

Benantal

10

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.1V

Portsenderspænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

172mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

38mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE

IGBT-moduler, Infineon


Infineons serie af IGBT-moduler giver tabsfattigt skift op til 60 KHz.

IGBT'er dækker en række moduler som EconoPACK med kollektor-emitterspænding på 1200 V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper-moduler med NTC op til 1600/1700 V. PrimePACK IGBT'er kan findes i køretøjer til brug i industri, handel, konstruktion og landbrug. N-kanal TRENCHSTOP TM og Fieldstop IGBT-moduler er velegnet til hård og blød kobling f.eks. invertere, UPS og industrielle kredsløb.

Indpakningstyper omfatter: 62 mm moduler EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links