Infineon, IGBT-modul, Type N-Kanal, 100 A 1200 V, AG-ECONO3-4 Klemme

Se alle IGBT

Indhold (1 bakke af 10 enheder)*

Kr. 5.620,77

(ekskl. moms)

Kr. 7.025,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bakke*
10 +Kr. 562,077Kr. 5.620,77

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-0911
Producentens varenummer:
FS100R12KT4GBOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT-modul

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

100A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

515W

Emballagetype

AG-ECONO3-4

Monteringstype

Klemme

Kanaltype

Type N

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.2V

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

17mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

122mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
MY

IGBT-moduler, Infineon


Infineons serie af IGBT-moduler giver tabsfattigt skift op til 60 KHz.

IGBT'er dækker en række moduler som EconoPACK med kollektor-emitterspænding på 1200 V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper-moduler med NTC op til 1600/1700 V. PrimePACK IGBT'er kan findes i køretøjer til brug i industri, handel, konstruktion og landbrug. N-kanal TRENCHSTOP TM og Fieldstop IGBT-moduler er velegnet til hård og blød kobling f.eks. invertere, UPS og industrielle kredsløb.

Indpakningstyper omfatter: 62 mm moduler EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links