IXYS, Enkelt IGBT, Type N-Kanal, 100 A 1200 V 70 ns, 4 Ben, SOT-227B Hulmontering

Se alle IGBT

Indhold (1 rør af 10 enheder)*

Kr. 2.934,85

(ekskl. moms)

Kr. 3.668,56

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 10 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
10 +Kr. 293,485Kr. 2.934,85

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4763
Producentens varenummer:
IXA70I1200NA
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

100A

Produkttype

Enkelt IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

350W

Emballagetype

SOT-227B

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

4

Switching-hastighed

70ns

Portsenderspænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.8V

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

RoHS, Epoxy meets UL 94V-0, IEC 60747

Serie

Planar

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

IGBT diskrete halvledere, IXYS XPT serien


XPT™ serie af diskrete IGBT-halvledere fra IXYS har ekstrem gennemstanset tynd lysskiveteknologi, hvilket resulterer i nedsat termisk modstand og lavere energitab. Disse enheder giver hurtige omkoblingstider med lille efterstrøm, og findes i en række branchestandardpakker og private pakker.

Høj effekttæthed og lav VCE(sat)

Kvadratisk RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area) op til beregnet overslagsspænding

Kortslutning til 10 usec

Positivt spændingstemperaturkoefficient når tændt

Valgfri Sonisk-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder i pakken

International standard- og egenudviklede højspændingspakker

IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links