FF300R12ME4B11BPSA1, IGBT-modul, N-Kanal, 450 A 1200 V 1MHz, 11 ben, ECONOD Serie

Se alle IGBT

Indhold (1 æske af 6 enheder)*

Kr. 5.885,778

(ekskl. moms)

Kr. 7.357,224

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr æske*
6 +Kr. 980,963Kr. 5.885,78

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-8780
Producentens varenummer:
FF300R12ME4B11BPSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

450 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

1600 W

Kapslingstype

ECONOD

Konfiguration

Serie

Monteringstype

Printmontering

Kanaltype

N

Benantal

11

Switching-hastighed

1MHz

Transistorkonfiguration

Serie

Dimensioner

122.5 x 62.5 x 17mm

Driftstemperatur min.

-40 °C

Driftstemperatur maks.

+150 °C

COO (Country of Origin):
CN

IGBT-moduler, Infineon


Infineons serie af IGBT-moduler giver tabsfattigt skift op til 60 KHz.
IGBT'er dækker en række moduler som EconoPACK med kollektor-emitterspænding på 1200 V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper-moduler med NTC op til 1600/1700 V. PrimePACK IGBT'er kan findes i køretøjer til brug i industri, handel, konstruktion og landbrug. N-kanal TRENCHSTOP TM og Fieldstop IGBT-moduler er velegnet til hård og blød kobling f.eks. invertere, UPS og industrielle kredsløb.

Indpakningstyper omfatter: 62 mm moduler EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links