Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	IGBT
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic	40A
	Kollektor emitter spænding maks. Vceo	1200V
	Effektafsættelse maks. Pd	227W
	Emballagetype	TO-247
	Monteringstype	Hulmontering
	Kanaltype	Type P
	Benantal	4
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT	1.78V
	Portsenderspænding maks.	±30 V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Serie	Field Stop
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype IGBT
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 40A
	Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V
	Effektafsættelse maks. Pd 227W
	Emballagetype TO-247
	Monteringstype Hulmontering
	Kanaltype Type P
	Benantal 4
	Min. driftstemperatur -55°C
	Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.78V
	Portsenderspænding maks. ±30 V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Serie Field Stop
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Denne IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) har en robust og økonomisk Ultra Field Stop Trench-konstruktion, og giver fremragende ydeevne i krævende switching-opgaver, som giver både lav tilstand ved tændt og minimalt skiftetab. IGBT er velegnet til UPS og solenergi. Indbygget i enheden er en blød og hurtig sampakket friløbsdiode med lav gennemgangsspænding.

Meget effektiv trench med Field Stop-teknologi • TJmax = 175 °C • blød hurtig omvendt gendannelsesdiode • optimeret til højhastigheds omskiftning • disse er blyfri enheder

Anvendelsesområder

Solenergi-inverter, UPS, svejsning

onsemi, IGBT, Type P-Kanal, 40 A 1200 V, 4 Ben, TO-247 Hulmontering

Relaterede links