onsemi AEC-Q101, IGBT, N-Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 185-8642P
- Producentens varenummer:
- AFGB40T65SQDN
- Brand:
- onsemi
Indhold (2 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 58,17
(ekskl. moms)
Kr. 72,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- Plus 3.124 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 + | Kr. 29,085 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 185-8642P
- Producentens varenummer:
- AFGB40T65SQDN
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 80A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 238W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.06mm | |
| Længde | 9.65mm | |
| Bredde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free | |
| Nominel energi | 22.3mJ | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 80A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 238W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.06mm | ||
Længde 9.65mm | ||
Bredde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free | ||
Nominel energi 22.3mJ | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
- COO (Country of Origin):
- CN
Ved hjælp af den nye Field stop 4. Generations IGBT-teknologi. AFGB40T65SQDN giver optimal ydelse med både lavt ledningstab og skiftetab for en højeffektiv drift i forskellige anvendelser.
VCE(sat) = 1,6 V (typ.) ved IC = 40 A.
CO-emballeret diode med lav VF blød genindvinding
Til biler
Lavt ledningstab
Lavt støj- og ledningstab
Anvendelsesområder
Opladning Af Biler På Kort
DC/DC-omformer til biler til HEV
Slutprodukter
EV/PHEV