STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Få rabat ved storkøb

Tilføj 100 flere for at gemme 3%

Se mængderabatter

Indhold 20 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 713,60

(ekskl. moms)

Kr. 892,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 30 enhed(er) afsendes fra 24. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Besparelse
20 - 98Kr. 35,68-
100 - 198Kr. 34,563%
200 +Kr. 29,9216%

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
206-7212P
Producentens varenummer:
STGWA75H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

115A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

357W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Serie

STG

Længde

15.9mm

Højde

5.1mm

Bredde

21.1mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics Trench gate feltstop, 650 V, 75 A, højhastigheds HB2 serie IGBT i to-247 hus med lange ledninger.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.

Lav VCE(sat) = 1,55 V (typ.) VED IC = 75 A.

Meget hurtig og blød genindvindingsdiode

Minimeret halestrøm

Stram parameterfordeling

Lav termisk modstand

Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.