AIGW40N65H5XKSA1, IGBT, 74 A 650 V, 3 ben, PG-TO247-3
- RS-varenummer:
- 215-6609
- Producentens varenummer:
- AIGW40N65H5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 43,07
(ekskl. moms)
Kr. 53,838
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 172 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 21,535 | Kr. 43,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6609
- Producentens varenummer:
- AIGW40N65H5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 74 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 650 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20 V, ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. | 250 W | |
| Kapslingstype | PG-TO247-3 | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 74 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 650 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20 V, ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. 250 W | ||
Kapslingstype PG-TO247-3 | ||
Benantal 3 | ||
Infineon højhastigheds H5-teknologi isoleret gate bipolær transistor, der tilbyder klassens bedste effektivitet i hårde omskiftning og resonante topologier.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Relaterede links
- AIGW40N65H5XKSA1 74 A 650 V PG-TO247-3
- AIKW40N65DF5XKSA1 74 A 650 V PG-TO247-3
- IKB40N65EH5ATMA1 74 A 650 V PG-TO247-3
- IKW40N65F5FKSA1 N-Kanal 3 ben, PG-TO247 1
- IHW50N65R6XKSA1 83 A 650 V PG-TO247-3
- IHW30N65R6XKSA1 65 A 650 V PG-TO247-3
- IGW30N65L5XKSA1 85 A 650 V PG-TO247-3
- IKW75N65EH5XKSA1 90 A 650 V PG-TO247-3