Infineon AEC-Q101, IC til IGBT-enkelt transistor, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 215-6611P
- Producentens varenummer:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 401,70
(ekskl. moms)
Kr. 502,10
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 18 | Kr. 40,17 |
| 20 - 48 | Kr. 36,765 |
| 50 - 98 | Kr. 31,715 |
| 100 + | Kr. 25,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6611P
- Producentens varenummer:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 80A | |
| Produkttype | IC til IGBT-enkelt transistor | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 270W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | ±30 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.66V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 80A | ||
Produkttype IC til IGBT-enkelt transistor | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 270W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. ±30 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.66V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon 3-benet højhastigheds, hurtig isoleret gate bipolær transistor.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens