Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, N-Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Overflade

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 336,60

(ekskl. moms)

Kr. 420,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
10 - 98Kr. 33,66
100 - 248Kr. 31,115
250 - 498Kr. 28,91
500 +Kr. 27,975

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-6630P
Producentens varenummer:
IGB50N60TATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

90A

Produkttype

IC til IGBT-enkelt transistor

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

333W

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-40°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.5V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Bilindustristandarder

Nej

Infineon bipolær transistor med lavt tab og isoleret gate i trenchstop og fieldstop-teknologi.

Højeffektiv

Lavt koblingstab

Øget pålidelighed

Lav elektromagnetisk interferens

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.