Infineon, IGBT, N-Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 226-6107P
- Producentens varenummer:
- IKP40N65F5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (25 enheder, leveres i et rør)*
Kr. 350,80
(ekskl. moms)
Kr. 438,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Udgår
- Plus 45 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
- Sidste 500 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2027
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 14,032 |
| 50 - 120 | Kr. 13,104 |
| 125 - 245 | Kr. 12,178 |
| 250 + | Kr. 11,234 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 226-6107P
- Producentens varenummer:
- IKP40N65F5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 74A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 255W | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.6V | |
| Portsenderspænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 74A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 255W | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.6V | ||
Portsenderspænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IKP40N65F5 er 650 V højhastigheds-switch IGBT, som brugte sammen med Rapid si-diode-teknologi. Den har en højere effekttæthed og har lav COE'ER/EOSS.
Faktor 2.5 lavere QG
Faktor 2 reduktion af skiftetab
200 mV reduktion i VCEsat