Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 240 enheder)*

Kr. 2.886,24

(ekskl. moms)

Kr. 3.607,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 240 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
240 - 240Kr. 12,026Kr. 2.886,24
480 +Kr. 11,424Kr. 2.741,76

*Vejledende pris

RS-varenummer:
244-2913
Producentens varenummer:
IHW20N120R5XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IC til IGBT-enkelt transistor

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

20A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

288W

Emballagetype

PG-TO-247

Benantal

3

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.55V

Portsenderspænding maks.

±20 %

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

16.13mm

Standarder/godkendelser

IEC61249-2-21, RoHS

Serie

Resonant Switching

Højde

5.21mm

Længde

42mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon resonant skifteserie IGBT enkelt transistor IC, 1200 V maks. kollektoremitterspænding, 20 A maks. kontinuerlig kollektorstrøm - IHW20N120R5XKSA1


Denne IGBT enkelt-transistor IC er en højspændingsswitch-enhed, der er designet til strømkonvertering og styring i krævende elektriske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver høj spændingshåndtering og betydelig kontinuerlig strømkapacitet. Komponenten leveres i en PG-TO-247-pakke og overholder specificerede materialer og standarder for farlige stoffer.

Egenskaber og fordele:


• 1200 V kollektor-emitter-modstand muliggør højspændingsswitching
• 20 A kontinuerlig kollektorstrøm understøtter vedvarende strømforsyning
• 1,55 V Vce(sat) reducerer ledningstab under drift i tændt tilstand
• 288 W maks. effekttab giver mulighed for kraftig termisk margen
• ±20 V gate-emitter mærkeværdi muliggør standard gate-drive-amplituder
• Fungerer fra -40 °C til 175 °C for udvidet temperaturmodstandsdygtighed

Anvendelser


• Velegnet til resonansomskiftertopologier i effektomformere
• Anvendes til 1200 V 20 A IGBT-transistorroller i industrielle invertere
• Ideel til IGBT 288 W-moduler med høj effekt i motordrev
• Kan bruges til udskiftning af PG-TO-247 IGBT-moduler i enheder
• Velegnet til højtemperatur-IGBT-miljøer -40 til 175 °C

Hvilken emballage leveres til nem montering på kort eller køleplade?


Den leveres i en PG-TO-247-pakke, der er velegnet til standardmontering med gennemgående huller og konventionel kølelegeme.

Hvilke materialer og standarder for farlige stoffer opfylder den?


Enheden er i overensstemmelse med RoHS og opfylder IEC 61249-2-21 materialespecifikationer.

Hvilken elektrisk grænse definerer sikkerheden for portdrev?


Gate-emitter-spændingen er begrænset til ±20 V for at forhindre gate-oxidbelastning.

Hvordan skal designere vurdere termisk kapacitet for vedvarende drift?


Brug 288 W maks. nominel effekttab til størrelse af kølelegemer og køling til kontinuerlige belastninger.

Hvilke ekstreme temperaturer kan enheden tolerere under drift?


Den fungerer fra et minimum på -40 °C op til et maksimum på 175 °C til anvendelser med høje temperaturer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.