Infineon, IGBT-modul, 450 A 1200 V 2

Dette IGBT-modul er en effekthalvlederenhed, der er designet til at skifte og styre højspændingskredsløb i industrielle strømsystemer. Den kombinerer to transistorer i en enkelt pakke til at håndtere høje strømbelastninger og fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende termiske miljøer.

• 1200 V blokeringsevne til højspændingskoblingsanvendelser
• 450 A kontinuerlig kollektorstrøm til at understøtte kraftige strømkrav
• 1600 W maks. effekttab for vedvarende drift med høj effekt
• 2.15 V lav Vce(sat) for reducerede ledningstab
• 20 V maks. mærkeværdi for gate-emitter til at definere sikre drevgrænser
• Fungerer op til 175 °C til installationer med høje temperaturer

• Velegnet til højspændings motordrevssystemer
• Ideel til industrielle invertere, der kræver høj strøm
• Kan bruges til vedvarende energikonvertertrin
• Anvendes sammen med strømforsyninger, der har brug for kompakte dobbelte transistorer
• Kan anvendes i trækkraft- eller strømforsyningselektronikmiljøer

Den indeholder to matchende transistorer i et enkelt modul, der giver mulighed for synkrone eller komplementære koblingsarrangementer.

Den er normeret til at fungere ned til -40 °C og op til 175 °C til drift over brede temperaturområder.

20 V gate-emittergrænsen definerer den maksimalt tilladte gate-drive-spænding og bestemmer den krævede gate-drive-beskyttelse og niveauskiftende design.

Designere skal tage hensyn til en 1200 V kollektor-emitter-blokeringsgrænse og et 1600 W pakketabloft, når de planlægger termisk styring.