Infineon, IGBT-modul, 4.7 A, TO-263
- RS-varenummer:
- 258-3757P
- Producentens varenummer:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 402,40
(ekskl. moms)
Kr. 503,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 620 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 24 | Kr. 40,24 |
| 25 - 49 | Kr. 38,00 |
| 50 - 99 | Kr. 35,31 |
| 100 + | Kr. 32,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3757P
- Producentens varenummer:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 4.7A | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 4.7A | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET i et D2PAK-7L hus bygger på en state-of-the-art trinch-halvlederproces, der er optimeret til at kombinere ydeevne med driftssikkerhed. CoolSiC-teknologiens lave effekttab kombineret med XT-sammenkoblingsteknologi i et nyt 1200 V optimeret SMD-hus muliggør høj effektivitet og passivt kølepotentiale i anvendelser som f.eks. drev, ladere og industrielle strømforsyninger.
Meget lave skiftetab
Modstandsdygtighed over for kortslutning, 3 μs
Fuldt styrbar dV/dt
Effektivitetsforbedring
Aktivering af højere frekvens
Øget effekttæthed