Infineon, IGBT, 80 A 1200 V, 3 Ben, TO-247
- RS-varenummer:
- 260-5092
- Producentens varenummer:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 54,23
(ekskl. moms)
Kr. 67,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 149 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 54,23 |
| 5 - 9 | Kr. 51,54 |
| 10 - 24 | Kr. 50,42 |
| 25 - 49 | Kr. 47,20 |
| 50 + | Kr. 43,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5092
- Producentens varenummer:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 80A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Benantal | 3 | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.35V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 41.2mm | |
| Bredde | 15.9 mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 80A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Benantal 3 | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.35V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 41.2mm | ||
Bredde 15.9 mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons hårdskiftelige højhastigheds IGBT3 i TO247 PLUS hus med blød, hurtig anti-parallel emitterstyret diode.
Høj effektivitet i hårde skifte- og resonanttopologier
Nem parallelfunktion takket være positiv temperaturkoefficient i VCEsat
Lav gate-opladning QG