STMicroelectronics, IGBT Enkelt samler, 4 A 600 V, 3 Ben, TO-252 1 Overflade
- RS-varenummer:
- 287-7045P
- Producentens varenummer:
- STGD4H60DF
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 30 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 96,90
(ekskl. moms)
Kr. 121,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 30 - 58 | Kr. 3,23 |
| 60 - 118 | Kr. 2,875 |
| 120 - 238 | Kr. 2,57 |
| 240 + | Kr. 2,305 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 287-7045P
- Producentens varenummer:
- STGD4H60DF
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 4A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Konfiguration | Enkelt samler | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.7V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 1.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bredde | 6.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 4A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Konfiguration Enkelt samler | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.7V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 1.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 2.3mm | ||
Bredde 6.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics trinch gate-feltstop er en IGBT, der er udviklet ved hjælp af en avanceret proprietær trinch gate-feltstopstruktur. Denne enhed er en del af H-serien af IGBT'er, som repræsenterer et optimalt kompromis mellem ledningsevne og skiftetab for at maksimere effektiviteten af konvertere med høj skiftefrekvens. Desuden resulterer en let positiv VCE(sat)-temperaturområdekoefficient og meget snæver parameterfordeling i en sikrere paralleldrift.
Lav termisk modstand
Mærkeværdi for kortslutning
Blød og hurtig genopretning af antiparalleldiode