onsemi, IGBT, N-Kanal, 40 A 600 V 130 ns, 3 Ben, TO-3PF Hulmontering
- RS-varenummer:
- 759-9257P
- Producentens varenummer:
- FGAF40N60UFTU
- Brand:
- onsemi
Indhold 1 enhed (leveres i et rør)*
Kr. 30,89
(ekskl. moms)
Kr. 38,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 408 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 30,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 759-9257P
- Producentens varenummer:
- FGAF40N60UFTU
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 40A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Emballagetype | TO-3PF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 130ns | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | UF | |
| Længde | 26.5mm | |
| Højde | 5.45mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC, RoHS | |
| Bredde | 23mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 40A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Emballagetype TO-3PF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 130ns | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie UF | ||
Længde 26.5mm | ||
Højde 5.45mm | ||
Standarder/godkendelser AEC, RoHS | ||
Bredde 23mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor
IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.