Infineon, IGBT-modul, N-Kanal, 370 A 1200 V, 3 Ben, 62MM modul Klemme

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 1.181,54

(ekskl. moms)

Kr. 1.476,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 1.181,54
2 - 4Kr. 1.122,45
5 +Kr. 1.075,18

*Vejledende pris

Alternativ

Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.

presentation
Semikron Danfoss, IGBT-modul, N-Kanal, 260 A 1200 V, 7 Ben, SEMITRANS Panelkabinet 2
RS-varenummer
468-2460

(Leveres Pr. stk.)

Kr. 1.694,35

(ekskl. moms)

Kr. 2.117,94

(inkl. moms)

RS-varenummer:
761-3757
Producentens varenummer:
FF300R12KS4HOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

370A

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

1950W

Emballagetype

62MM modul

Monteringstype

Klemme

Kanaltype

N

Benantal

3

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

3.85V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Bredde

61.4mm

Standarder/godkendelser

IEC61140, EN61140

Højde

30.9mm

Længde

106.4mm

Serie

62_MMC

Bilindustristandarder

Nej

IGBT-moduler, Infineon


Infineons serie af IGBT-moduler giver tabsfattigt skift op til 60 KHz.

IGBT'er dækker en række moduler som EconoPACK med kollektor-emitterspænding på 1200 V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper-moduler med NTC op til 1600/1700 V. PrimePACK IGBT'er kan findes i køretøjer til brug i industri, handel, konstruktion og landbrug. N-kanal TRENCHSTOP TM og Fieldstop IGBT-moduler er velegnet til hård og blød kobling f.eks. invertere, UPS og industrielle kredsløb.

Indpakningstyper omfatter: 62 mm moduler EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.