STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 40 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Hulmontering

Se alle IGBT
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
791-9349
Producentens varenummer:
STGF20H60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

40A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

Trench Gate Field Stop

Bredde

4.6mm

Længde

10.4mm

Højde

16.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.