STGW60H65FB, IGBT, N-Kanal, 80 A 650 V, 3 ben, TO-247 Enkelt

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 250,60

(ekskl. moms)

Kr. 313,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Pr stk.
10 - 19Kr. 25,06
20 +Kr. 22,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
792-5811P
Producentens varenummer:
STGW60H65FB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

80 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

375 W

Kapslingstype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Driftstemperatur min.

-40 °C

Driftstemperatur maks.

+175 °C

IGBT diskrete, ST Microelectronics



IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links