onsemi AEC-Q101, Tænding IGBT, N-Kanal, 21 A 430 V 1 MHz, 3 Ben, TO-252 Overflade
- RS-varenummer:
- 807-8758P
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040D3ST
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 13%
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 887,90
(ekskl. moms)
Kr. 1.109,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- 1.575 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 17,758 | - |
| 100 - 495 | Kr. 15,408 | 13% |
| 500 - 995 | Kr. 13,538 | 23% |
| 1000 + | Kr. 12,328 | 30% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 807-8758P
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040D3ST
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 21A | |
| Produkttype | Tænding IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 430V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.2V | |
| Portsenderspænding maks. | ±10 V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Nominel energi | 300mJ | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 21A | ||
Produkttype Tænding IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 430V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.2V | ||
Portsenderspænding maks. ±10 V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie EcoSPARK | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Nominel energi 300mJ | ||
Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor
IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.