IXYS, Højhastighed IGBT, N-Kanal, 100 A 1200 V 50 kHz, 3 Ben, PLUS247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 808-0225P
- Producentens varenummer:
- IXYX100N120C3
- Brand:
- IXYS
Indhold 1 enhed (leveres i et rør)*
Kr. 162,22
(ekskl. moms)
Kr. 202,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 9 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 162,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 808-0225P
- Producentens varenummer:
- IXYX100N120C3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 100A | |
| Produkttype | Højhastighed IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1150W | |
| Emballagetype | PLUS247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 50kHz | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 3.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 20.32mm | |
| Serie | 1200V XPTTM IGBTs GenX3TM | |
| Bredde | 15.75mm | |
| Standarder/godkendelser | International Standard Packages | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 100A | ||
Produkttype Højhastighed IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1150W | ||
Emballagetype PLUS247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 50kHz | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 3.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 20.32mm | ||
Serie 1200V XPTTM IGBTs GenX3TM | ||
Bredde 15.75mm | ||
Standarder/godkendelser International Standard Packages | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete halvledere, IXYS XPT serien
XPT™ serie af diskrete IGBT-halvledere fra IXYS har ekstrem gennemstanset tynd lysskiveteknologi, hvilket resulterer i nedsat termisk modstand og lavere energitab. Disse enheder giver hurtige omkoblingstider med lille efterstrøm, og findes i en række branchestandardpakker og private pakker.
Høj effekttæthed og lav VCE(sat)
Kvadratisk RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area) op til beregnet overslagsspænding
Kortslutning til 10 usec
Positivt spændingstemperaturkoefficient når tændt
Valgfri Sonisk-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder i pakken
International standard- og egenudviklede højspændingspakker
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.