IXYS, IGBT, N-Kanal, 20 A 1.2 kV, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 130,82

(ekskl. moms)

Kr. 163,52

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 65,41Kr. 130,82
10 - 18Kr. 63,73Kr. 127,46
20 - 58Kr. 61,935Kr. 123,87
60 - 178Kr. 60,40Kr. 120,80
180 +Kr. 59,015Kr. 118,03

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
808-0256
Elfa Distrelec varenummer:
304-45-327
Producentens varenummer:
IXA12IF1200HB
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

20A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1.2kV

Effektafsættelse maks. Pd

85W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Portsenderspænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.8V

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

IEC 60747, RoHS, Epoxy meets UL 94V-0

Serie

Planar

Længde

20.3mm

Bredde

16.24mm

Højde

5.3mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete halvledere, IXYS XPT serien


XPT™ serie af diskrete IGBT-halvledere fra IXYS har ekstrem gennemstanset tynd lysskiveteknologi, hvilket resulterer i nedsat termisk modstand og lavere energitab. Disse enheder giver hurtige omkoblingstider med lille efterstrøm, og findes i en række branchestandardpakker og private pakker.

Høj effekttæthed og lav VCE(sat)

Kvadratisk RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area) op til beregnet overslagsspænding

Kortslutning til 10 usec

Positivt spændingstemperaturkoefficient når tændt

Valgfri Sonisk-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder i pakken

International standard- og egenudviklede højspændingspakker

IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links