IXYS, IGBT, N-Kanal, 20 A 1.2 kV, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 637,30

(ekskl. moms)

Kr. 796,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Vi beklager. Vi har desværre ikke så mange produkter på lager. Reducér venligst antallet.
Restlager hos RS
  • Sidste 8 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
10 - 18Kr. 63,73
20 - 58Kr. 61,935
60 - 178Kr. 60,40
180 +Kr. 59,015

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
808-0256P
Producentens varenummer:
IXA12IF1200HB
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

20A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1.2kV

Effektafsættelse maks. Pd

85W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

±20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.8V

Driftstemperatur maks.

125°C

Bredde

16.24mm

Højde

5.3mm

Serie

Planar

Længde

20.3mm

Standarder/godkendelser

IEC 60747, RoHS, Epoxy meets UL 94V-0

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete halvledere, IXYS XPT serien


XPT™ serie af diskrete IGBT-halvledere fra IXYS har ekstrem gennemstanset tynd lysskiveteknologi, hvilket resulterer i nedsat termisk modstand og lavere energitab. Disse enheder giver hurtige omkoblingstider med lille efterstrøm, og findes i en række branchestandardpakker og private pakker.

Høj effekttæthed og lav VCE(sat)

Kvadratisk RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area) op til beregnet overslagsspænding

Kortslutning til 10 usec

Positivt spændingstemperaturkoefficient når tændt

Valgfri Sonisk-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder i pakken

International standard- og egenudviklede højspændingspakker

IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.