IXYS, Højhastighed IGBT, N-Kanal, 82 A 1200 V 50 kHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 808-0290P
- Producentens varenummer:
- IXYH82N120C3
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 6 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 906,12
(ekskl. moms)
Kr. 1.132,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 261 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 6 - 14 | Kr. 151,02 |
| 15 + | Kr. 144,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 808-0290P
- Producentens varenummer:
- IXYH82N120C3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | Højhastighed IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 82A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1250W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 50kHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 3.2V | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 20.32mm | |
| Serie | 1200V XPTTM IGBT GenX3TM | |
| Bredde | 16.26mm | |
| Standarder/godkendelser | International Standard Package | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype Højhastighed IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 82A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1250W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 50kHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 3.2V | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 20.32mm | ||
Serie 1200V XPTTM IGBT GenX3TM | ||
Bredde 16.26mm | ||
Standarder/godkendelser International Standard Package | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete halvledere, IXYS XPT serien
XPT™ serie af diskrete IGBT-halvledere fra IXYS har ekstrem gennemstanset tynd lysskiveteknologi, hvilket resulterer i nedsat termisk modstand og lavere energitab. Disse enheder giver hurtige omkoblingstider med lille efterstrøm, og findes i en række branchestandardpakker og private pakker.
Høj effekttæthed og lav VCE(sat)
Kvadratisk RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Area) op til beregnet overslagsspænding
Kortslutning til 10 usec
Positivt spændingstemperaturkoefficient når tændt
Valgfri Sonisk-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder i pakken
International standard- og egenudviklede højspændingspakker
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.