STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, N-Kanal, 30 A 420 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 810-3485P
- Producentens varenummer:
- STGB18N40LZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme 10%
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 734,60
(ekskl. moms)
Kr. 918,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.195 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 50 - 245 | Kr. 14,692 | - |
| 250 - 495 | Kr. 13,124 | 10% |
| 500 + | Kr. 11,27 | 23% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 810-3485P
- Producentens varenummer:
- STGB18N40LZT4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 30A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 420V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.7V | |
| Portsenderspænding maks. | 16 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Serie | Automotive Grade | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 30A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 420V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.7V | ||
Portsenderspænding maks. 16 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Bredde 9.35mm | ||
Serie Automotive Grade | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
IGBT diskrete, ST Microelectronics
IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.