STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 30 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 72,71

(ekskl. moms)

Kr. 90,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 14,542Kr. 72,71
25 - 45Kr. 13,838Kr. 69,19
50 - 120Kr. 12,416Kr. 62,08
125 - 245Kr. 11,206Kr. 56,03
250 +Kr. 10,622Kr. 53,11

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
829-7120
Producentens varenummer:
STGF15H60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

30A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

30W

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Portsenderspænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.4mm

Højde

16.4mm

Standarder/godkendelser

No

Serie

Trench Gate Field Stop

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links