MPN

Fairchild Semiconductor AEC-Q101, IGBT, N-Kanal, 46 A 390 V, 3 Ben, TO-263 Overflade

RS-varenummer:: 862-9362
Producentens varenummer:: ISL9V5036S3ST
Brand:: Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor AEC-Q101, IGBT, N-Kanal, 46 A 390 V, 3 Ben, TO-263 Overflade

Få rabat ved storkøb

Tilføj 10 flere for at gemme Kr. 38,78

Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 126,72

(ekskl. moms)

Kr. 158,40

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

790 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*	Besparelse
5 - 5	Kr. 25,344	Kr. 126,72	-
10 - 95	Kr. 21,466	Kr. 107,33	Kr. 38,78
100 - 245	Kr. 17,184	Kr. 85,92	Kr. 816,00
250 - 495	Kr. 16,194	Kr. 80,97	Kr. 2.287,50
500 +	Kr. 15,282	Kr. 76,41	Kr. 5.031,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 862-9362
Producentens varenummer:: ISL9V5036S3ST
Brand:: Fairchild Semiconductor

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Fairchild Semiconductor
	Produkttype	IGBT
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic	46A
	Kollektor emitter spænding maks. Vceo	390V
	Effektafsættelse maks. Pd	250W
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Kanaltype	N
	Benantal	3
	Min. driftstemperatur	-40°C
	Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT	1.6V
	Portsenderspænding maks.	±10 V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Serie	EcoSPARK
	Standarder/godkendelser	RoHS Compliant
	Bilindustristandarder	AEC-Q101
	Nominel energi	500mJ

	Vælg alle
	Brand Fairchild Semiconductor
	Produkttype IGBT
	Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 46A
	Kollektor emitter spænding maks. Vceo 390V
	Effektafsættelse maks. Pd 250W
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Kanaltype N
	Benantal 3
	Min. driftstemperatur -40°C
	Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.6V
	Portsenderspænding maks. ±10 V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Serie EcoSPARK
	Standarder/godkendelser RoHS Compliant
	Bilindustristandarder AEC-Q101
	Nominel energi 500mJ

Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor

IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.