IKW25N120T2FKSA1, IGBT, N-Kanal, 50 A 1200 V, 3 ben, TO-247 Enkelt
- RS-varenummer:
- 897-7403
- Producentens varenummer:
- IKW25N120T2FKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 85,60
(ekskl. moms)
Kr. 107,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 126 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 42,80 | Kr. 85,60 |
| 20 - 48 | Kr. 40,69 | Kr. 81,38 |
| 50 - 98 | Kr. 38,97 | Kr. 77,94 |
| 100 - 198 | Kr. 37,215 | Kr. 74,43 |
| 200 + | Kr. 34,67 | Kr. 69,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 897-7403
- Producentens varenummer:
- IKW25N120T2FKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 50 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Effektafsættelse maks. | 349 W | |
| Kapslingstype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Dimensioner | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Portkapacitans | 1600pF | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Nominel energi | 4.3mJ | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 50 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Effektafsættelse maks. 349 W | ||
Kapslingstype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Dimensioner 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Portkapacitans 1600pF | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
Nominel energi 4.3mJ | ||
Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 1100 til 1600 V
En serie af IGBT-transistorer fra Infineon med mærkespænding for kollektor-emitter fra 1100 til 1600 V med TrenchStop™-teknologi. Serien omfatter enheder med integreret højhastigheds, anti-parallel diode med hurtig gendannelse.
• Spændingsområde for kollektor-emitter 1100 til 1600 V
• Meget lav VCEsat
• Lille tab ved slukning
• Kort efterstrøm
• Lav EMI
• Maksimal junction-temperatur 175 °C
• Meget lav VCEsat
• Lille tab ved slukning
• Kort efterstrøm
• Lav EMI
• Maksimal junction-temperatur 175 °C
IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- IKW25N120T2FKSA1 N-Kanal 3 ben, TO-247 Enkelt
- IKW25T120FKSA1 N-Kanal 3 ben, TO-247 Enkelt
- IKW25N120H3FKSA1 N-Kanal 3 ben, TO-247 Enkelt
- STGW25S120DF3 N-Kanal 3 ben, TO-247 Enkelt
- IGW25N120H3FKSA1 N-Kanal 3 ben, TO-247 Enkelt
- IKW50N120CS7XKSA1 N-Kanal 3 ben, TO-247-3 1 Enkelt
- IXGH30N120B3D1 50 A 1200 V TO-247 Enkelt
- FGH40T120SMD N-Kanal 3 ben, TO-247 Enkelt