onsemi, JFET, Type P-Kanal, JFET-Kanal -25 V dc Enkelt 1.5 to 20 mA, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 773-7816P
- Producentens varenummer:
- MMBFJ177LT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 67,30
(ekskl. moms)
Kr. 84,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 9.740 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 01. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 0,673 |
| 250 - 490 | Kr. 0,643 |
| 500 - 990 | Kr. 0,598 |
| 1000 + | Kr. 0,576 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 773-7816P
- Producentens varenummer:
- MMBFJ177LT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Undertype | JFET | |
| Produkttype | JFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain source spænding maks. Vds | -25V dc | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Benantal | 3 | |
| Portkildespænding maks. | 25V dc | |
| Drain source modstand maks. Rds | 300Ω | |
| Afløbskildestrøm Ids | 1.5 to 20 mA | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 225mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Undertype JFET | ||
Produkttype JFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain source spænding maks. Vds -25V dc | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Benantal 3 | ||
Portkildespænding maks. 25V dc | ||
Drain source modstand maks. Rds 300Ω | ||
Afløbskildestrøm Ids 1.5 to 20 mA | ||
Effektafsættelse maks. Pd 225mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.4mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal JFET, ON Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.