onsemi, JFET, Type N-Kanal, JFET-Kanal 25 V Enkelt 12 to 30 mA, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 773-7819P
- Producentens varenummer:
- MMBFJ309LT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 57,60
(ekskl. moms)
Kr. 72,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 8.750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 0,576 |
| 250 - 490 | Kr. 0,554 |
| 500 - 990 | Kr. 0,539 |
| 1000 + | Kr. 0,531 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 773-7819P
- Producentens varenummer:
- MMBFJ309LT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | JFET | |
| Undertype | JFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 225mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Afløbskildestrøm Ids | 12 to 30 mA | |
| Benantal | 3 | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.01mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype JFET | ||
Undertype JFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Effektafsættelse maks. Pd 225mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Afløbskildestrøm Ids 12 to 30 mA | ||
Benantal 3 | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.01mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal JFET, ON Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.