onsemi, JFET, Type N-Kanal, JFET-Kanal 0.4 V Enkelt 8 to 80 mA, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 807-5201P
- Producentens varenummer:
- BSR58
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 500 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 450,50
(ekskl. moms)
Kr. 563,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 18. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 500 - 900 | Kr. 0,901 |
| 1000 + | Kr. 0,781 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 807-5201P
- Producentens varenummer:
- BSR58
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | JFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Undertype | JFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 0.4V | |
| Konfiguration | Enkelt | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Afløbskildestrøm Ids | 8 to 80 mA | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Serie | BSR58 | |
| Højde | 0.97mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype JFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Undertype JFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 0.4V | ||
Konfiguration Enkelt | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Afløbskildestrøm Ids 8 to 80 mA | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Serie BSR58 | ||
Højde 0.97mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal JFET, Fairchild Semiconductor
JFET transistorer
En række JFET (junction field-effekt transistor) og HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) diskrete halvlederkomponenter.